东微半导：积极布局第三代功率半导体产品SiC研发项目稳步推进

东半导体在近期的投资者调查中表示，报告期内，公司持续开发新技术，遵循公司技术路线图，稳步推进各项技术迭代，在高压超级结MOSFET，中低压屏蔽栅MOSFET，TGBT产品等领域积极开发新一代技术，有序推进产品从8英寸到12英寸的工艺平台拓展，进展顺利在TGBT产品领域，公司加强自主知识产权技术Tri—gateIGBT技术的研发，产品顺利通过多家客户验证并批量使用，快速实现了高性能IGBT产品的国产化替代公司第二代Tri—gateIGBT技术研发成功，产品性能进一步提升同时，公司积极布局第三代功率半导体产品，碳化硅R&D项目稳步推进

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